11月8日下午，受bat365正版唯一官网电子科学与技术学科的邀请，台湾高雄大学江德光教授前来我校进行学术交流，并作了题为《从多栅MOSFET的亚阈值行为到低功耗电路：设计，建模和仿真》的专题学术报告。电子科学与技术学科近100名教师和研究生聆听了报告，报告会由学科带头人余宁梅教授主持。

报告会上，江德光教授围绕集成电路工艺节点发展至10纳米以下带来的器件设计和建模问题展开讲解，从先进纳米工艺集成电路的低功耗问题讲起，阐述了研究以FinFET为代表的的多栅器件亚阈值模型的重要意义。随后介绍了器件建模的主要方法及其团队独创的抛物线近似（PPA）方法，并在此基础上分析了不同结构的多栅器件的数学模型，最后通过实例说明了上述模型在分析10纳米以下工艺逻辑门电路特性时的良好效果。

报告结束后，江教授与现场听众进行了互动交流，热情解答了师生提出的问题，并与相关老师探讨了未来合作构想。报告会内容丰富，生动精彩，深入浅出，与会师生表示受益匪浅。

江德光教授简介

江德光，1989年获得纽约大学石溪分校硕士学位，1997年获得台湾成功大学博士学位。现为台湾高雄大学电机系教授，博士生导师，IEEE高级会员。先后主持台湾自然科学基金8项，企业合作项目多项。在IEEE 系列期刊上发表SCI论文近百篇，IEEE ISNE会议的创始人，多次担任IEEE系列会议的技术委员会成员，并多次受邀做邀请报告。江教授在半导体器件、特别是先进工艺MOSFET建模和设计方面具有深入研究，独创了基于抛物线近似的器件建模方法，对一系列新型器件的主要指标建立了数学模型，产生了较大的学术影响。