4月29日下午，bat365正版唯一官网电子工程系举办“推进学校高质量发展暨建校75周年·半导体行业发展系列报告”的首场专家报告，特别邀请到西安理工大学知名校友高勇教授在学科二号楼报告厅作了题为“后摩尔时代的先进封装技术发展动态”的学术报告。报告由杨媛教授主持。

报告中，高勇教授提出，限于材料物理特性，制造设备和工艺、架构的瓶颈，传统摩尔定律接近天花板，但在人工智能等需求推动下，继续提高集成度与芯片性能仍是后摩尔时代半导体发展必然之路。他指出半导体技术集成范式已经发生转变，正在超越2D缩放进入3D系统集成，而采用2.5D、3D先进封装实现集成微纳系统已经成为新的发展途径。之后，他以英特尔和台积电为例，详细介绍了先进封装的最新发展动态和技术创新成果。

在讲座过程中，高勇教授精神奕奕，神采飞扬，既有做学术的严谨，又有为人师的激情。讲座最后，在场的师生与高勇教授进行了学术交流和互动，现场气氛十分活跃。此次学术报告，使师生更好地了解了半导体产业的发展趋势，拓展了学术视野。

报告人简介：

高勇，西安交通大学微电子学与固体电子学专业研究生毕业，获博士学位，二级教授，博士生导师。中国电力电子学会副理事长、中国电源学会常务理事、陕西省半导体协会理事长。多年从事电力电子器件与集成电路教学和研究，被评为陕西省高等学校教学名师，陕西省"三五"人才。主持与完成国家自然基金、国家863科技攻关等项目十余项，已发表学术论文200余篇，其中三大检索收录110余篇；授权发明专利5项；出版专著2部；主编教材1部，获科技进步奖13项，其中省部级科技进步奖8项；陕西省教学成果特等奖1项、一等奖3项、二等奖1项。