4月30日下午，bat365正版唯一官网电子工程系举办“推进学校高质量发展暨建校75周年·半导体行业发展系列报告”的第三场专家报告，邀请到我校微电子专业2010届硕士校友颜剑，他长期从事功率半导体器件开发和研制工作，是森思功率半导体的创始人。此次报告主题为“功率半导体器件设计和制造现状分享”，报告由刘静教授主持。
报告中，颜剑首先介绍了国内主流功率半导体器件（IGBT，SGT和SiC MOSFET） 的结构特点和发展历程，重点讲述这几种器件目前国内主流水平和国际代次的差距，并介绍了SGT和SiC MOSFET的工艺流程，最后特别强调了功率半导体高端应用领域国产化替代的巨大发展前景。
此次报告内容紧密贴合我系电子科学与技术专业特色之一——即着眼于功率半导体方向的人才培养，与会学生纷纷表示通过报告拓宽了学术视野，明确了个人未来的科研和职业规划。
报告人简介：
颜剑，西安理工大学校友，微电子专业2010届硕士。长期从事功率半导体器件开发和研制工作，曾在杨杰科技、华润微任职，担任碳化硅项目总监。2022年创立森思功率半导体有限公司。
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